Infineon返回SIC JFET，以更聪明，更快地分配固态功

作者: 365bet亚洲体育   点击次数:    发布时间: 2025-05-15 16:01

Infineon Technologies开发了一套新的硅卡宾斯，用于固态保护和分配设计。这是在2012年推出的一系列1200V4MΩSICJFET之后的另一种产品。本文指出：JFET通过反向PN连接中的电场来控制电导率，而不是MOSFET中使用的绝缘层中的横向电场。 G1“第一代”冷却JFET的超低R DS（ON）为1.5MΩ（750 V BDS）和2.3MΩ（1200 V BDS），可显着降低行为损失。大型通道优化的SIC JFET在短路和雪崩的断层条件下提供了很高的稳定性。预测在热应力下的过渡行为，过度和断层的条件在连续操作过程中提供最大的长期可靠性。CoolsicJFET将减少传导损失，提高固体闭合能力并提供高稳定性。强的短回路功能，线性模式下的热稳定性和准确的杂音T控制提供了可靠，有效的系统性能。它可用于广泛的工业和自动化应用，包括固态断路器（SSCB），AI数据中心热量，电子保险丝，电机软启动器，工业安全继电器和汽车电池电池断路器。 Infineon Technology的绿色工业电力部总裁Peter Waver博士：“在COOLSIC JFET中，我们满足对更智能，更快和更强大的分销系统的需求不断增长。” “由该应用程序驱动的半导体技术是专门设计的，旨在为我们的客户提供他们所需的他们所需的，以应对这个快速新兴领域的复杂挑战。我们很荣幸能够启动具有具有灵活性和集成选项的高功率系统的设备，投资组合将会扩展以提供不同的包装和模块。